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Sensor-Trainingsgeräte

Prüfstand für optische Sensoren【GL-998G】

Der Lichtschrankenprüfstand GL998G ist ein von unserem Unternehmen entwickeltes Lehr- und Experimentiergerät für Lichtschranken, das den Anforderungen an die Lehrinhalte in den Bereichen Optoelektronik, Informationstechnik, physikalische Elektronik und anderen Bereichen gerecht wird. Er dient als Grundausstattung für Experimente zu den Eigenschaften und Anwendungen lichtempfindlicher Geräte und Lichtschranken und ist das grundlegende Experimentiergerät für die Optoelektronik.

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Beschreibung

GL998G Prüfstand für optische Sensoren

Der Lichtschrankenprüfstand GL998G ist ein von unserem Unternehmen entwickeltes Lehr- und Versuchsinstrument für die Lichtschrankentechnik, das den Anforderungen an die Lehrinhalte in den Bereichen Optoelektronik, Informationstechnik und physikalische Elektronik gerecht wird. Er dient als Basisgerät für Experimente zu den Eigenschaften und Anwendungen lichtempfindlicher Bauelemente und Lichtschranken und ist das grundlegende Versuchsinstrument für die Optoelektronik.

Ⅰ.Konfiguration des GL998G-Prüfstands für optische Sensoren

1. Silizium-Fotozelle (VOC: 300 mV, ID < 1 × 10-8 μA, ISC: 5 μA, λ: 300–1000 nm, λp: 880 nm)

2. Fotodiode (Vr: 20 V, ID < 0,1 μA, IL: 50 μA, tr tf: 10 ns, λp: 880 nm)

3. Fototransistor (VCEO: 50 V, ID < 0,1 μA, IL: 5 mA, tr tf: 15 ns, λp: 880 nm)

4. Fotowiderstand (cds-Fotowiderstand, Nennleistung: 100 mW, Dunkelwiderstand ≥ 1 MΩ, tr 20 ms, tf 30 ms, λp: 580 nm)

5. Reflektierender Optokoppler (Eingang: IFM = 20 mA, VR = 5 V, VF = 1,3 V, Ausgang: VCEO = 30 V, ICEO = 0,1 μA, VCES = 0,4 V, Übertragungseigenschaften: CTR (%) = 5, tr tf: 5 μs)

6. Pyroelektrische Infrarotsonde

7. Lichtmesssonde

8. Y-Typ-Lichtleiter

9. Halbleiterlaser (Wellenlänge: 635 μm, Leistung 1–3 mW)

10. Glühlampe

11. Leuchtdiode

12. Infrarot-Emitterdiode (VR: 5 V, VF: 1,4 V, IR: 10 μA, PO: 2 mW)

13. PSD-Positionssensor

Ⅱ. Experimentelles Projekt für den Prüfstand eines optischen Sensors GL998G

1. Experiment zur Kennlinie einer Photodiode

2. Experiment zum Fotowiderstand

3. Experiment zur Kennlinie eines Fototransistors